[发明专利]形成半导体器件的方法

摘要

薄膜半导体器件，例如ＴＦＴ及其制造方法。ＴＦＴ形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如ＴＦＴ。形成主要由氮化铝组成第１涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第２涂层，其上可制作半导体器件。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在一绝缘表面上形成含硅半导体膜；在所述半导体膜上形成绝缘膜；选择性地刻蚀所述绝缘膜，以获得由此减薄了所述绝缘膜的区域；用激光照射所述半导体膜，以提高所述区域下半导体膜的结晶度；在所述半导体膜上形成一栅电极；其特征在于该方法还包括：将N型或P型杂质选择性地注入带有所述栅电极的所述半导体膜内和所述绝缘膜的除作为掩膜的所述区域之外的一部分内；以及用准分子激光照射注入了所述N型或P型杂质的区域，以激活此注入了所述N型或P型杂质的区域。