[发明专利]一种硅功率三极管管芯在审
申请号: | 93111591.4 | 申请日: | 1993-07-24 |
公开(公告)号: | CN1084317A | 公开(公告)日: | 1994-03-23 |
发明(设计)人: | 程铭 | 申请(专利权)人: | 扬州晶体管厂 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L21/04;H01L21/331 |
代理公司: | 扬州市专利事务所 | 代理人: | 薛平 |
地址: | 225003*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种硅功率三极管管芯,它是采用常规的制管工艺流程,并利用有尖峰突起的非均匀扩散区基区与常规扩散的发射区来实现其功率管扩散区的制作。本发明制造工艺简便,而制得的器件却综合了若干场效应型器件的性质,故增加了器件的实用性和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 三极管 管芯 | ||
【主权项】:
一种硅功率三极管管芯,采用常规的制管工艺流程,其特征在于基区结构是采用扩散区的纵剖面是带有一个或多个尖峰状突起的连续的非均匀扩散区深度结构。
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