[发明专利]对称磁体磁控溅射源无效
申请号: | 93111860.3 | 申请日: | 1993-06-22 |
公开(公告)号: | CN1033100C | 公开(公告)日: | 1996-10-23 |
发明(设计)人: | 范启华;陈小洪;陈宏猷;洪源;张鹰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 电子科技大学专利事务所 | 代理人: | 盛明洁 |
地址: | 610054 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明介绍了一种用于簿膜制造技术的磁控溅射镀膜源。它的构成如下两个磁极对称的外部环形永磁体和一个内部环形永磁体形成磁控溅射磁场,在内部永磁体的外围装有一个水冷溅射阴极,并在它的上面安放着靶材,在外部永磁体和水冷溅射阴极之间装有一个阴极屏蔽罩,屏蔽罩和水冷溅射阴极的下部置于绝缘体上。该磁控溅射源不仅可实现高溅射淀积速率,低基片温度,而且可将靶材利用率从平面磁控溅射源的30%提高到64%。 | ||
搜索关键词: | 对称 磁体 磁控溅射 | ||
【主权项】:
1、一种对称磁体磁控溅射源,是由永磁体、阴极屏蔽罩、水冷溅射阴极和绝缘体构成,其特征是永磁体采用两个磁极对称的外部环形永磁体(1)、(2)和一个内部环形永磁体(3),在内部环形永磁体(3)的外围装有一个水冷溅射阴极(5),并在它的上面安放靶材(6),在外部环形永磁体(1)、(2)和水冷溅射阴极(5)之间安装有接地的阴极屏蔽罩(4),在阴极屏蔽罩(4)和水冷溅射阴极(5)的下端安装一个有孔的绝缘体(8),并使它的孔与内部环形永磁体(3)的内环孔相对应;产生磁控溅射磁场的永磁体极性施加的方式配置,是当两个外部环形永磁体(1)、(2)为S极相对时,则内部环形永磁体(3)的N极向上,当两个外部环形永磁体(1)、(2)为N极相对时,则内部环形永磁体(3)的S极向上。
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