[发明专利]对称磁体磁控溅射源无效

专利信息
申请号: 93111860.3 申请日: 1993-06-22
公开(公告)号: CN1033100C 公开(公告)日: 1996-10-23
发明(设计)人: 范启华;陈小洪;陈宏猷;洪源;张鹰 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 电子科技大学专利事务所 代理人: 盛明洁
地址: 610054 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明介绍了一种用于簿膜制造技术的磁控溅射镀膜源。它的构成如下两个磁极对称的外部环形永磁体和一个内部环形永磁体形成磁控溅射磁场,在内部永磁体的外围装有一个水冷溅射阴极,并在它的上面安放着靶材,在外部永磁体和水冷溅射阴极之间装有一个阴极屏蔽罩,屏蔽罩和水冷溅射阴极的下部置于绝缘体上。该磁控溅射源不仅可实现高溅射淀积速率,低基片温度,而且可将靶材利用率从平面磁控溅射源的30%提高到64%。
搜索关键词: 对称 磁体 磁控溅射
【主权项】:
1、一种对称磁体磁控溅射源,是由永磁体、阴极屏蔽罩、水冷溅射阴极和绝缘体构成,其特征是永磁体采用两个磁极对称的外部环形永磁体(1)、(2)和一个内部环形永磁体(3),在内部环形永磁体(3)的外围装有一个水冷溅射阴极(5),并在它的上面安放靶材(6),在外部环形永磁体(1)、(2)和水冷溅射阴极(5)之间安装有接地的阴极屏蔽罩(4),在阴极屏蔽罩(4)和水冷溅射阴极(5)的下端安装一个有孔的绝缘体(8),并使它的孔与内部环形永磁体(3)的内环孔相对应;产生磁控溅射磁场的永磁体极性施加的方式配置,是当两个外部环形永磁体(1)、(2)为S极相对时,则内部环形永磁体(3)的N极向上,当两个外部环形永磁体(1)、(2)为N极相对时,则内部环形永磁体(3)的S极向上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/93111860.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top