[发明专利]一种C/O比测井用中子管的制造方法

摘要

一种Ｃ／Ｏ比测井用中子管的制造方法，其特征是管壳底部与氘贮存器的连接采用曲面动密封结构，靶参数设计为钛膜厚度１．５～１．９ｍｇ／ｃｍ2和低吸氘原子比，排气工艺采用装管前分类预除气及装管后低温排气，从而使密封效果好并易于加工，保证了中子管的质量。

主权项

1、一种c/o比测井用中子管的制造方法，包括中子管外壳底与氘贮存器的动密封结构，靶及靶参数设计，中子管排气工艺；所述动密封结构包括：位于中子管外壳底的螺纹孔，套接在氘贮存器上的压紧螺钉，氘贮存器的一端位于螺纹孔内，压紧螺钉与螺纹孔连接并将氘贮存器一端紧密连接在中子管外壳底部，氘贮存器的端头与螺纹孔底之间置有密封垫片，其特征是：采用曲面动密封结构，即所述螺纹孔(13)底部采用冷机压加工的方法加工成曲面(14)且光洁度为0.1，该曲面(14)对应的球面锥体角α为68°-78°。所述靶及靶参数设计为：采用氚钛靶，钛膜厚度1.5～1.9mg/cm2，吸氚原子比T/T1＝1～1.5。所述中子管排气工艺为：在组装成中子管前，根据中子管内弹性材料的时效温度、部件的钎焊温度和动密封零件的布氏硬度，将中子管零部件分为两类分别进行高、低温预除气，其中低温预除气的零部件在400～500℃下保温0.5～1小时，高温预除气的零部件在900～950℃下保温0.5～1小时，组装成中子管后，将中子管置于无油排气台上进行低温排气，控制升温速度3～4℃/分，保温温度160℃～180℃，保温时间20～30小时。