[发明专利]高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体在审
| 申请号： | 93112547.2 | 申请日： | 1993-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1084227A | 公开（公告）日： | 1994-03-23 |
| 发明（设计）人： | 徐良瑛;束碧云;肖兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;H01S3/16 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及高灵敏度的近红外(750—850nm)光折变掺杂铌酸锂晶体属于近红外用的光折变晶体领域。单掺Fe2O3为0.05—0.3mol％；双掺Fe2O3+CeO2为0.1—0.6mol％。在生长后经高温还原处理，在750—850nm近红外区域内具有光折变效应，可与750—900nm的半导体激光器配套使用。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 红外光 折变 掺杂 铌酸锂 晶体 | ||
【主权项】：
1、一种高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体，掺杂物为Fe2O3或Fe2O3+CeO2，其特征在于(1)Fe2O3掺杂量为0.05-1.5mol%；Fe2O3+CeO2总掺杂量为0.1-0.6mol%；(2)用提拉法生长掺杂铌酸锂晶体之后不仅需在居里温度附近施加2-5伏/厘米直流电进行单畴化处理，而且在高温下进行还原处理。
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