[发明专利]采用甲硅烷基化作用形成图形的方法无效
| 申请号： | 93112925.7 | 申请日： | 1993-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1068442C | 公开（公告）日： | 2001-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金铁洪;韩牛声 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/075 | 分类号： | G03F7/075;G03F7/095 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张闽,吴大建 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成图的方法，通过使用甲硅烷基化光刻胶膜使工艺简化，保持了多层光刻胶膜工艺所具有的分辨率提高效果，其中在基片上形成第一光刻胶层，并使基片表面部分甲硅烷基化、由此形成甲硅烷基化层。然后在甲硅烷基化层上形成第二光刻胶层，通过设有予定图形的光掩模对其曝光。显影之后形成第二光刻胶图形。随后以第二光刻胶图形作为蚀刻掩模，对甲硅烷基化层深蚀刻，形成甲硅烷基化图形。之后氧化甲硅烷基化图形，利用氧化的甲硅烷基化图形蚀刻第一光刻胶层，形成第一光刻胶图形。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 采用 硅烷 化作 形成 图形 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成图的方法，它包括以下步骤：在基片上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层的表面部分进行甲硅烷基化，以便形成甲硅烷基化层；在所述甲硅烷基化层上形成第二光刻胶层；采用设有予定图形的光掩模，对所述第二光刻胶层进行曝光及显影，形成第二光刻胶图形；采用所述第二光刻胶图形作为蚀刻掩模，对所述甲硅烷基化层深蚀刻，形成甲硅烷基化层图形同时除去所述第二光刻胶图形；氧化所述甲硅烷基化层图形；采用所述氧化的甲硅烷基化图形作为蚀刻掩模，对所述第一光刻胶层进行蚀刻，形成第一光刻胶图形。
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