[发明专利]半导体存贮器无效
| 申请号： | 93119604.3 | 申请日： | 1993-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1049514C | 公开（公告）日： | 2000-02-16 |
| 发明（设计）人： | 朴哲佑;张贤淳;金哲洙;金明镐;李升勋;李始烈;李镐哲;金泰禛;崔润浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/40;G06F12/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,张志醒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一同步ＤＲＡＭ，能同来自一外部系统的时钟同步地在其中一存贮单元阵列中存取数据。该同步ＤＲＡＭ接收一外部时钟并包括有大量的各有大量存贮单元并可操作在任有一效周期或一予充电周期的存贮体；一用于接收一行地址选通信号并响应该时钟而锁存该行地址选通信号的一逻辑电平的电路；用于接收一个存贮体的外部产生的地址的一地址输入电路；和用于接收该锁存的逻辑电平和来自地址输入电路的该地址的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存贮器 | ||
【主权项】：
1.在一个半导体芯片上构成的具有各种操作模式的一半导体存贮器中，包括以下组成：用于接收外部地址(RA0-RA6)并对该芯片指定各种操作模式中的至少一种的地址输入装置；其特征在于还包括：在一模式建立操作中用于产生一模式建立控制信号(φMRS)的装置(200)；和用于在响应该模式建立控制信号时基于该外部地址用于存贮代码(MDST0-MDST6)和产生代表由该代码所决定的该操作模式的一操作模式信号(SZn、CLj、φINTEL)的装置(202)。
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