[发明专利]制造薄膜晶体管的方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法，在绝缘透明衬底上形成一栅电极，再叠置多层不同折射率的栅绝缘膜，然后依次沉积半导体层、蚀刻阻止层和光刻胶膜；再经反向曝光、显影将光刻胶膜制成图形，并用其作为掩模选择蚀刻该蚀刻阻止层；再除去光刻胶膜，再依次制成n型掺杂半导体层和金属层，最后形成源、漏电极；用本法制造的薄膜晶体管用作LCD的开关元件，可改善器件特性，提高并简化工艺，提高产品生产率。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括下列各步骤：在一绝缘透明的衬底上形成一栅电极，其上形成有栅绝缘膜；在所说的栅绝缘膜形成之后，在所得结构的整个裸露表面上，依次沉积一半导体层、一蚀刻阻止层和一光刻胶膜；用所说的栅电极作掩模，使所得结构经反向曝光，然后显影，将所述光刻胶膜刻成图形；其特征在于：经所述反向曝光、显影，对所述光刻胶膜刻制图形，使栅电极可与每个在后续步骤形成的源电极和漏电极按预定的交叠长度交叠，还包括步骤：在所说的栅电极形成之后，在所得结构的整个裸露表面上，按折射率由大至小的顺序叠置多层具有不同折射率的栅绝缘膜；用所说的刻成图的光刻胶膜作掩模，选择性蚀刻所说的蚀刻阻止层；去掉刻成图的光刻胶膜，然后在所得结构的整个裸露表面上，依次沉积一高浓度n型掺杂半导体层和一金属层；以及选择性去掉位于刻成图的蚀刻阻止层上方的所说的高浓度n型掺杂半导体层和所说的金属层的相应部分，以形成所说的源电极和所说的漏电极。