[发明专利]等离子体处理方法和设备无效

专利信息
申请号: 93120148.9 申请日: 1989-09-16
公开(公告)号: CN1090889A 公开(公告)日: 1994-08-17
发明(设计)人: 山崎舜平;土屋三宪;林茂则;广濑直树;石田典也;佐佐木麻里;川野笃 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,曹济洪
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室,真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压,以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压,基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
搜索关键词: 等离子体 处理 方法 设备
【主权项】:
1、一种用等离子体在真空室中进行处理基片的方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:在真空室中将所述基片配置在一对第一电极之间;在适当的压强下往所述真空室中输入反应气体;和往所述第一电极之间输入第一交流高频电压,以便从所述反应气体产生等离子体,并对所述基片进行等离子体处理;其中第二交流电压加在一对第二电极之间,第二电极夹着所述基片,并和所述基片绝缘及在空间上隔离,从而以所述等离子体增加所述基片表面的溅射效应。
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