[发明专利]等离子体处理方法和设备无效
申请号: | 93120148.9 | 申请日: | 1989-09-16 |
公开(公告)号: | CN1090889A | 公开(公告)日: | 1994-08-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;土屋三宪;林茂则;广濑直树;石田典也;佐佐木麻里;川野笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,曹济洪 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室,真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压,以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压,基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种用等离子体在真空室中进行处理基片的方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:在真空室中将所述基片配置在一对第一电极之间;在适当的压强下往所述真空室中输入反应气体;和往所述第一电极之间输入第一交流高频电压,以便从所述反应气体产生等离子体,并对所述基片进行等离子体处理;其中第二交流电压加在一对第二电极之间,第二电极夹着所述基片,并和所述基片绝缘及在空间上隔离,从而以所述等离子体增加所述基片表面的溅射效应。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的