[发明专利]溅射靶材用镍基镍铜铬锰系电阻合金无效
| 申请号： | 93120336.8 | 申请日： | 1993-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1039245C | 公开（公告）日： | 1998-07-22 |
| 发明（设计）人： | 党绪邦;陈溪有;傅子文;张伯超 | 申请（专利权）人： | 浙江省冶金研究所 |
| 主分类号： | C22C19/05 | 分类号： | C22C19/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310007*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种溅射靶材料用镍基的镍铜铬锰系低电阻合金，其化学成分（重量％）为Ｃｕ２８～４３％、Ｃｒ９～１４％、Ｍｎ８～１４％，Ｎｉ余量，该合金的电阻率小于１Ωｍｍ2/M，适用制做低阻值溅射靶，与镍铬硅溅射靶相比，在同样条件下用溅射法生产小于１Ω的低阻值金属膜电阻，用该合金制做的溅射靶，其溅射所需时间可降至二分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 靶材用镍基镍铜铬锰系 电阻 合金 | ||
【主权项】：
1、一种溅射靶材用镍基的镍、铜、铬、锰系电阻合金，其特征在于其化学成份(重量％)为：Cu28～43％；Cr9～14％；Mn8～14％；Ni余量。
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