[发明专利]用化学气相沉积法涂覆基本呈半球深拱形基体内表面的方法和设备

摘要

一种用ＣＶＤ法涂覆大致半球深拱基体内表面的方法和装置。将含成层物分子的反应气体通过至少一个与半球顶点相对并距待涂覆面一定距离的进气孔送入装有基体的反应室中，随后在该基体内表面产生反应区以在其上沉积成层材料。为制出均匀涂层，反应气体以高速送入使进气孔内或其紧邻的气体射流的雷诺数Ｒ与在进气孔与半球顶点间的距离ｈ的乘积符合４００〈Ｒ×ｈ〈４０００。优点是省去一些常规必要措施并可用简单喷嘴通用于不同形状基体。

主权项

1.一种借助于微波-等离子体-化学气相沉积法对基本上呈半球形的深拱形基体的内表面涂覆介质与/或金属层系统的方法，该涂覆介质与/和金属层系统为交替地向SiO2层添加HMDSO(C6H18OSi2)和向TiO2层添加TiCl4，在此方法中，将含有成层物分子的反应气体通过至少一个与半球顶点相对并与其隔开一定距离设置的进气孔通入放有待涂覆基体的反应室中，然后以公知方式通过向具有反应气体的反应室射入微波来在待涂覆基体的内表面上产生一个反应区使涂覆材料沉积在基体上，其特征在于，用来制造均匀涂层的反应气体以一个高的速度导入反应室，使得在进气孔中的气体射流的雷诺数R与在进气孔与半球顶点之间的距离h的乘积符合：400＜R×h(mm)＜4000；其中R＝r×v×d/n；r＝流动介质的密度；v＝流动介度的流速；n＝流动介质的动态粘度；d＝进气孔的直径；上述h≥8mm。