[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 93120818.1 | 申请日： | 1993-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1039562C | 公开（公告）日： | 1998-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李相忍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔的覆盖。此外，在甲硅烷基化层上形成金属层后进行热处理时，金属层的回流特性变好，从而易于填充接触孔或通孔。用此法可获得高可靠性的布线层并可免去后续的烧结工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个半导体衬底，一个形成在上述半导体衬底上、带有凹部的绝缘层；一个形成在上述绝缘层上并包括一个甲硅烷基化层的扩散势垒层；以及一个完全地填充上述凹部的由Al或Al合金构成的第一金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/93120818.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消音器
- 下一篇：绕线型电动机可控电流起动装置
