[发明专利]具有含铝互连线的半导体器件无效
| 申请号： | 93121131.X | 申请日： | 1993-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1111902C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 宫崎稔;崔葆春;Ａ·村上;山本睦夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互连 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：一厚度小于1500的硅膜(3)；与所说硅膜接触且含硅和钛的第一导电层(14)；与所说第一导电层接触且含钛和氮的第二导电层(14)；与所说第二导电层接触且含铝的第三导电层(15)；以及与所说第三导电层接触且含钛的第四导电层(16)，其中，所说第一、第二、第三和第四导电层构成了一导电的互连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
