[实用新型]热沉封接结构的半导体功率管壳无效
| 申请号： | 93206349.7 | 申请日： | 1993-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN2152306Y | 公开（公告）日： | 1994-01-05 |
| 发明（设计）人： | 邓忠敏 | 申请（专利权）人： | 机械电子工业部第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02 |
| 代理公司： | 石家庄市专利事务所 | 代理人： | 田文其 |
| 地址： | 050051*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种热沉封接结构的半导体功率管壳，是在构成半导体功率管壳的陶瓷腔体与无氧铜底座间垫入机械强度高、导热性能好、热膨胀系数和陶瓷腔体非常匹配的热沉封焊制成的。结构简单、机械强度高、气密性好、可靠性高、散热性好，较好地解决了膨胀系数不一致的陶瓷腔体和无氧铜底座直接封接不适应环境温度变化的问题。使用该热沉封接结构的半导体功率管壳作壳体的半导体器件可广泛用于航空航天业、军事工程、大型电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 热沉封接 结构 半导体 功率 管壳 | ||
【主权项】：
1、一种热沉封接结构的半导体功率管壳，具有引线2、盖板3，其特征在于：它是由陶瓷材料制做的腔体4、盖板3、引线2、无氧铜底座1和封焊在陶瓷腔体4与无氧铜底座1间的热沉5焊接制成的。
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