[实用新型]硅基多重膜结构的薄膜气敏元件无效
| 申请号： | 93212930.7 | 申请日： | 1993-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN2182407Y | 公开（公告）日： | 1994-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘德宇 | 申请（专利权）人： | 刘德宇 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;H01L49/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100054 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种硅基多重膜结构的薄膜气敏元件。它由绝缘介质膜把金属膜加热电阻与气敏端子和气敏电阻薄膜及硅基片分层隔离。它不受硅器件结温的限制。可以因气敏薄膜材料的各种选择而制成具有不同检知功能的各种针对不同气体的气敏元件。是化工、油田、煤矿等安全生产和火箭发射燃料检漏、建筑防火探测报警，以及环境监测、食品保鲜度和驾驶司机是否饮酒等等的监察检测手段之传感器核心元件。 | ||
| 搜索关键词： | 基多 膜结构 薄膜 元件 | ||
【主权项】：
1、一种硅基多重膜结构的金属氧化物半导体薄膜气敏元件，其特征在于：它的片芯结构由硅基片、绝缘介质层、金属膜加热电阻、绝缘介质层、贵金属梳状电极端子、覆被气敏半导体金属氧化物薄膜等逐层相叠组成；其片芯则以内引线悬吊式或绝热胶固着式装封于有透气孔的、尺寸标准的晶体管管壳中。
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