[实用新型]可控硅高频高压直流电源无效
| 申请号： | 93222104.1 | 申请日： | 1993-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN2185010Y | 公开（公告）日： | 1994-12-07 |
| 发明（设计）人： | 丁辉元 | 申请（专利权）人： | 丁辉元 |
| 主分类号： | H02M5/45 | 分类号： | H02M5/45;H02M7/10 |
| 代理公司： | 黄石市专利事务所 | 代理人： | 王敏 |
| 地址： | 435000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 可控硅高频高压直流电源是采用多倍压整流升压电路，贮能换流，电压谐振，交流电压从1、2端输入并通过电容Co—Cn进行组合调控，机械开关Ko—Kn为手动调压设定开关，Jo—Jn机械开关或用双向可控硅，通过自动控制电路实施交流电压调控；电容调压无工频变压器直流供电，PWM脉冲集成电路等新技术。开关频率5—20KHz，谐振频率500KHz，电源功率转换优于90％。无需火花控制保护可火花放电，高压短路工作，能制造大功率多倍压整流升压的高压、超高压直流电源。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 高频 高压 直流电源 | ||
【主权项】：
可控硅高频高压直流电源，其特征是：(1)、交流电压从1、2端输入并通过电容C0-Cn进行组合调控，机械开关K0-Kn为手动调压设定开关，J0-Jn机械开关或用双向可控硅，通过自动控制电路实施交流电压调控；
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