[实用新型]晶体管驱动用厚膜器无效
| 申请号： | 93239741.7 | 申请日： | 1993-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN2183047Y | 公开（公告）日： | 1994-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵宗政 | 申请（专利权）人： | 赵宗政 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 646000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是一种晶体管(MOSFET管或IGBT管)驱动用厚膜器；现有晶体管驱动用厚膜器，在输入/输出信号间存在电的联系，搞共模干扰性能差；本实用新型的特征是将高频变压器T1的输出端与光电耦合器E1的一次级串联，信号输入端与光电耦合器E1的初级端串联，光电耦合器E1的另一次级端与末级放大器D2串联构成输出端；本实用新型适用于电力和电机驱动技术中对晶体管的驱动用。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 驱动 用厚膜器 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管驱动用厚膜器，包括由振荡器D1、电容C1和电阻R1、R2组成的振荡电路与高频变压器T1相联接构成的驱动电压产生端，其特征在于将高频变压器T1的输出端串联晶体管V1，并联电容C2后与光电耦合器E1的一次级串联，信号输入端⑥与光电耦合器E1的初级端串联，光电耦合器E1的另一次级端与末级放大器D2串联后并联一晶体管V2构成输出端⑤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赵宗政，未经赵宗政许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/93239741.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
