[发明专利]显示非线性光学效应和液晶性的梯形聚硅氧烷及功能膜无效
申请号: | 94100700.6 | 申请日: | 1994-01-21 |
公开(公告)号: | CN1105678A | 公开(公告)日: | 1995-07-26 |
发明(设计)人: | 谢萍;张榕本;郭劲松;李泽;代道荣;刘冬生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C08G77/18 | 分类号: | C08G77/18;C09K19/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一类新型的以二种方式挂接(侧接或竖接)发色团基元的梯形双链聚硅氧烷,它们显示了低衰减的非线性光学效应和液晶性。梯形聚硅氧烷在电场下,原位极化交联成透明固体膜。由紫外光谱法测定的取向因子值表明与带同种发色团的单链聚硅氧烷相比,这种新型的梯形聚硅氧烷抗光信号衰减值提高了1.5倍以上。 | ||
搜索关键词: | 显示 非线性 光学 效应 液晶 梯形 聚硅氧烷 功能 | ||
【主权项】:
1、一种显示非线性光学效应的聚硅氧烷,其特征在于(1)为梯形的双链聚硅氧烷(A型结构模式),(2)为显示非线性光学效应和液晶性的梯形聚硅氧烷,(3)为B.C.D.E.F所示的重复结构单元模式,(4)为抗光信号衰减的透明固体膜,其中所说的梯形双链聚硅氧烷的A型结构模式包括梯形聚氢基倍半硅氧烷(H-T)及其共聚物,所说的显示非线性光学效应和液晶性的梯形聚硅氧烷是指在梯形聚硅氧烷主体链(A型结构模式)上挂接发色团或液晶性基元,包括侧接和竖接两种类型,所说的B.C.D.E.F型重复单元结构模式包括梯形均聚和共聚硅氧烷(B-C型,F型),所说的抗光信号衰减的透明固体膜为在直流电场下原位极化交联功能膜。(A.梯形聚氢基倍半硅氧烷及其共聚物通式)式中X为大于0的整数,Y和Z为0或整数。R1和R2分别为氢、甲基、乙基、丙基、乙烯基、丙烯基、乙炔基、丙炔基、苯基、联苯基、环已烷基。(B.带发色团和液晶基元的梯形聚硅氧烷结构通式)式中n=10-103,X=电子给体或受体,如下述。(C型,其它共聚成分的结构)式中R′=C1-C30烷基,苯基,乙烯基,丙烯基,乙炔基,丙炔基,联苯基,环已烷基。上述X,D=给电子基,如胺基、烷胺基、二烷胺基、1-哌啶基、1-哌嗪基、1-吡咯烷基、酰胺基、卤素、C1-C30烷基,C1-C30烷氧基;X.A=拉(受)电子基,如NO2,CN,CF3,羧基,酰胺基。n=10-103;R1,R2=H,C1-C30烷基;R1,R2还可与连接的N原子组成杂环取代基,如吡咯烷基、咪唑烷基、恶唑烷基、硫恶唑烷基;A′=NO2,CN,CF3。式中n1,n2=10-103;R′=H,CH3,Ph或其它烷基;m=1-11;X′=电子给基或拉受电子基,如上所述。
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