[发明专利]集总的局部锯切工艺方法

摘要

一种在半导体晶片（４８）上局部锯切出诸纵横沟槽（５０）的工艺方法。锯切完后，诸沟槽（５０）可用一防护物加以覆盖，然后继续对晶片象先前那样进行工艺处理。在晶片（４８）被揿裂后，防护物（５２）可以被去除，也可以不必去除。此外，晶片（５０）可以用一上面带有许多劈刀（７２）的楔形片（７０）揿裂成单个芯片，其中单个劈刀（７０）压向局部锯切出的诸沟槽（５０），使晶片（４８）断裂。

主权项

1.一种从半导体晶片制造半导体芯片的工艺方法，它包含：在晶片上局部锯切出诸沟槽；用一防护材料覆盖住所述局部锯切出的诸沟槽，从而所述局部锯切出的诸沟槽被完全覆盖住，但所述防护材料不会覆盖住整个所述晶片；进一步按照要求对具有局部锯切出的所述晶片进行工艺处理，以完成其上正制造的结构，包括牺牲层的去除和薄膜的处理过程；以及在所述处理步骤以后，在所述局部锯切出的诸沟槽处将所述晶片揿裂成单个芯片，其特征在于，覆盖所述诸沟槽的步骤包含用一种防护材料条带覆盖住所述诸沟槽。