[发明专利]半导体的制造方法无效
| 申请号： | 94103243.4 | 申请日： | 1994-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1058583C | 公开（公告）日： | 2000-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体的制造方法，它包括在整个基片上选择性地形成选自镍、铁、钴、铂和钯中的至少一种物质；形以一种含非晶态硅的半导体膜，使它与整个基片接触；对它们进行加热，借此，使所述半导体膜结晶；以及，用腐蚀剂对所述已结晶的半导体膜的表面进行处理。腐蚀剂选自氢氟酸和盐酸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体的方法，它包括：在整个基片上选择性地形成一种物质，该物质是选自镍、铁、钴、铂和钯中的至少一种；形成一种含非晶态硅的半导体膜，使所述物质与所述半导体膜在整个基片上接触；将所述半导体膜与所述基片一起进行加热，借此使所述半导体膜结晶；以及，然后用一种腐蚀剂对所述已结晶的半导体膜的表面进行处理，该腐蚀剂选自氢氟酸和盐酸
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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