[发明专利]清洗半导体器件的方法及其清洗半导体器件的设备无效
| 申请号： | 94103346.5 | 申请日： | 1994-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1096400A | 公开（公告）日： | 1994-12-14 |
| 发明（设计）人： | 大西照人;矢野航作;野村登;远藤政孝 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种用于清洗半导体器件表面的清洗剂。该清洗剂包含这些成分一种为清除有机和无机残余物的硫酸和双氧水混合液；用于产生氟的氟硫酸，氟用作清除其他残余物和微料的浸蚀剂；以及水。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 半导体器件 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
1、一种清洗半导体器件的方法，其中，清洗剂用于清洗半导体基片的表面，所述的清洗剂具有的成份为：(a)一种强酸和一种氧化剂，其将有机和无机残余物从所述半导体基片的所述表面清除掉，(b)一种HSO3F或SO2F2的含氟化合物，其产生的氟以轻微浸蚀所述半导体基片的所述表面的方式将其他残余物和微粒从所述半导体基片的所述表面清除掉，以及(c)水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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