[发明专利]制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 94104276.6 | 申请日： | 1994-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1101457A | 公开（公告）日： | 1995-04-12 |
| 发明（设计）人： | 韩晶昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此披露了一种制造其漏极与沟道区分离(DSC结构)的凹槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，以满足在深亚微米技术中提出的器件的可靠性和性能等所有要求。按照本发明，同时界定沟道区和场区，使用LOCOS形成其凹形沟道区与漏区分离的MOSFET，从而避免了因腐蚀硅基片引起的表面损伤。将控制阈值电压的杂质注入整个沟道区以防止与漏区分离的沟道区中载流子迁移率和跨导的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法包括如下步骤：在硅基片上形成过渡层和抗氧化层以同时界定沟道区和场区；通过氧化工序形成场氧化层；清除所说的过渡层、抗氧化层和场氧化层以形成凹形沟道区；形成栅绝缘层和栅材料层并使所说的栅材料层构成图形；和形成源/漏区和场氧化层区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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