[发明专利]开关晶体管电路装置无效
申请号: | 94104613.3 | 申请日: | 1994-04-07 |
公开(公告)号: | CN1035090C | 公开(公告)日: | 1997-06-04 |
发明(设计)人: | 菲利普·兰斯 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉半导体公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种集成电路开关晶体管电路装置200,它具有半导体衬底202,此衬底带有相互指状组合并分别形成晶体214控制电极和信号电极的第一和第二半导体区域206和208;形成晶体管第二信号电极的第三半导体区域204;和一个沿第一和第二区延伸并与第三区形成一个在衬底相当大的面积上延伸的二极管结216的第四半导体区域207。从而在不增加工艺步骤的条件下,能用标准双极晶体管技术制造具有良好、稳定的开关特性的单片集成电路。 | ||
搜索关键词: | 开关 晶体管 电路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种开关晶体管电路装置,它包括一半导体衬底,该衬底具有:分别形成一开关晶体管的控制电极和信号电极的第一和第二半导体区域;形成该开关晶体管的第二信号电极的第三半导体区域;以及沿第一和第二半导体区域延伸并与第三半导体区域形成一个二极管结的第四半导体区域,该二极管结在衬底相当大的面积上延伸,所述开关晶体管电路装置的特征在于,将第四半导体区域设置成与第三半导体区域和第一半导体区域形成一箝位晶体管,以及所述第一、第二、第三和第四半导体区域相互或叉指状组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的