[发明专利]半导体器件、铁电电容器,及其形成方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件、铁电电容器，以及它们的形成方法。本发明的半导体器或铁电电容器具有含一种金介质层(41、101、122及134)、电极(135)、阻挡层(141及144)、接触及通路芯柱(13、142、34及132)、互连(145)，以及铁电电容器。所用的元素金属及其导电金属氧化物包括钌及二氧化钌、铼及二氧化铼、铱及二氧化铱、锇及四氧化锇等。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：一半导体衬底；一覆盖在该衬底之上的互连，其中，所述互连包含铜；以及在该互连之上的第一层，其中：该第一层有一种包括一种元素金属及其导电金属氧化物的混合物；所述元素金属能优先于所述互连被氧化成它的导电金属氧化物。