[发明专利]太阳能转换复合光电极,其制造工艺及用途无效
申请号: | 94107057.3 | 申请日: | 1994-06-11 |
公开(公告)号: | CN1044421C | 公开(公告)日: | 1999-07-28 |
发明(设计)人: | 李国昌;李果华 | 申请(专利权)人: | 李国昌;李果华 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01M4/00;H01G9/20 |
代理公司: | 河北省科技专利事务所 | 代理人: | 王琪,徐瑞丰 |
地址: | 050021 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种高效太阳能转换复合光电极,是为复合光电极理论所提供的完整的技术方案,以ZnSeGaAs,YP或Ge组成复合光电极,采用N+-N-P组合类型,掺杂浓度呈梯度分布,形成两个异质缓变结,这种复合光电极具有响应频带宽和输出电压高两大优点,能满足光电解水的热力学和动力学要求。作为光化或光伏太阳电池电极,效率可达30%。本发明还公开制作该复合光电极的具体工艺。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 转换 复合 电极 制造 工艺 用途 | ||
【主权项】:
1.太阳能转换复合光电极,由三层复合半导体单晶材料组成,其特征在于所述三层半导体材料中至少包括两种直接跃迁型材料GaAs和ZnSe,各功能半导体材料均为梯度掺杂半导体,并且(1)所述GaAs为N型,作为复合光电极的中间层,厚度为0.5-3μm,掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3,(2)与GaAs相邻的另外两种半导体材料,一种为N+型,其掺杂浓度为1×1018-1×1019cm-3,另一种为P型,掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3(3)组成复合光电极的三层半导体材料的掺杂浓度在它们相互接合的界面呈缓交梯度关系,分别形成二个异质缓交结,一个是P-N结,另一个是N-N+结,(4)所用的第三种半导体材料为狭禁带的直接跃迁型YP或间接跃迁型Ge其中的一种,与所述的GaAs和ZnSe构成三层复合结构,其两侧功能层厚度各为0.3-3μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的