[发明专利]太阳能转换复合光电极,其制造工艺及用途无效

专利信息
申请号: 94107057.3 申请日: 1994-06-11
公开(公告)号: CN1044421C 公开(公告)日: 1999-07-28
发明(设计)人: 李国昌;李果华 申请(专利权)人: 李国昌;李果华
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01M4/00;H01G9/20
代理公司: 河北省科技专利事务所 代理人: 王琪,徐瑞丰
地址: 050021 河北省石*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种高效太阳能转换复合光电极,是为复合光电极理论所提供的完整的技术方案,以ZnSeGaAs,YP或Ge组成复合光电极,采用N+-N-P组合类型,掺杂浓度呈梯度分布,形成两个异质缓变结,这种复合光电极具有响应频带宽和输出电压高两大优点,能满足光电解水的热力学和动力学要求。作为光化或光伏太阳电池电极,效率可达30%。本发明还公开制作该复合光电极的具体工艺。
搜索关键词: 太阳能 转换 复合 电极 制造 工艺 用途
【主权项】:
1.太阳能转换复合光电极,由三层复合半导体单晶材料组成,其特征在于所述三层半导体材料中至少包括两种直接跃迁型材料GaAs和ZnSe,各功能半导体材料均为梯度掺杂半导体,并且(1)所述GaAs为N型,作为复合光电极的中间层,厚度为0.5-3μm,掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3,(2)与GaAs相邻的另外两种半导体材料,一种为N+型,其掺杂浓度为1×1018-1×1019cm-3,另一种为P型,掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3(3)组成复合光电极的三层半导体材料的掺杂浓度在它们相互接合的界面呈缓交梯度关系,分别形成二个异质缓交结,一个是P-N结,另一个是N-N+结,(4)所用的第三种半导体材料为狭禁带的直接跃迁型YP或间接跃迁型Ge其中的一种,与所述的GaAs和ZnSe构成三层复合结构,其两侧功能层厚度各为0.3-3μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李国昌;李果华,未经李国昌;李果华许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/94107057.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top