[发明专利]箔式传感器的制作工艺无效

专利信息
申请号: 94107219.3 申请日: 1994-06-27
公开(公告)号: CN1098200A 公开(公告)日: 1995-02-01
发明(设计)人: 浣石;黄风雷;张家碧;周小鸥 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G01L9/02 分类号: G01L9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410073 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种箔式传感器的制作工艺,其特征在于首先将传感器箔材清洗干净并干燥后,在温度为140℃—160℃和加压条件下,在箔材的两面分别压上感光膜,在感光膜的表面粘附一层聚酯薄膜保护层;在一面贴上传感器的形状底片,两面进行曝光,去掉有传感器的形状底片的曝光面的保护层,将其送入显影机,未曝光部分与碱液反应被去掉,露出部分金属箔材,将暴露的金属箔材腐蚀掉,漂洗干净后干燥,将腐蚀掉金属的一面封装,制得传感器。利用上述工艺制得的传感器的质量均一,提高了生产效率。其封装性能好,改善了包封材料在动高压载荷作用下的绝缘性,从而提高了传感器的灵敏度和在动高压作用下的记录寿命。
搜索关键词: 传感器 制作 工艺
【主权项】:
1、一种箔式传感器的制作工艺,其特征在于首先将传感箔材清洗干净并干燥后,在温度为140℃-160℃和加压条件下,在箔材的两面分别压上感光膜,在感光膜的表面粘附一层聚脂薄膜保护层;在一面贴上传感器的形状底片,两面进行曝光,去掉有传感器的形状底片的曝光面的保护层,将其送入显影机,未曝光部分与碱液反应被去掉,露出部分金属箔材,将暴露的金属箔材腐蚀掉,漂洗干净后干燥,将腐蚀掉金属的一面封装,制得传感器。
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