[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94107606.7 | 申请日： | 1994-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1058584C | 公开（公告）日： | 2000-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;高山彻;竹村保彦;宫永昭治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极／引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管（ＴＦＴ），由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的ＴＦＴｓ由无定形硅薄膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有一基片并在该基片上形成有多个薄膜晶体管的半导体器件，其特征在于，它包括：至少有一个薄膜晶体管具有包括硅的结晶半导体膜，其中该结晶半导体膜具有一个平行于该基片的晶体生长方向，并包含一金属元素，该金属元素选自Ni、Fe、Co、Pd、Pt中之一；和至少有另一个薄膜晶体管具有包括硅的非晶半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
