[发明专利]带有含漏扩展区的MOST的高压半导体器件无效
| 申请号： | 94108139.7 | 申请日： | 1994-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1103206A | 公开（公告）日： | 1995-05-31 |
| 发明（设计）人： | A·W·鲁迪胡策 | 申请（专利权）人： | 菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/784 | 分类号： | H01L29/784 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,马铁良 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及到一种半导体(1)中含有一个第一导电类型表面区(3)的半导体器件，此表面区邻接于一个表面且其中形成有一个场效应晶体管，此场效应晶体管包含一个沟道区(7)，其上有栅电极(8)、一个源区(4)、一个漏区(5)和一个漏扩展区(6)。漏扩展区包含一些第二导电类型区域，这些区域从沟道区向漏区延伸，其宽度和掺杂浓度要使表面区和漏扩展区之间的阻塞PN结上的电压差上升时，在发生漏击穿之前，漏扩展区至少局部地完全耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 扩展 most 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体中含有一个第一导电类型表面区的半导体器件，此表面区邻接于一表面且其中形成有一个场效应晶体管，而场效应晶体管带有隔离栅、在表面区中带有与第一导电类型相反的第二导电类型的源区和漏区以及一个第二导电类型的漏扩展区，它邻接于漏区和表面，掺杂浓度比漏区低，并沿源区的方向纵向延伸、有一个位于漏扩展区和源区之间的第一导电型沟道区、并且有一个位于沟道区之上而用隔离层同沟道区分开的栅电极。这种半导体器件的特征是：漏扩展区包含多个第二导电类型的区域，这些区域从沟道区向漏区延伸，其宽度和掺杂浓度要使表面区和漏扩展区之间的阻塞pn结上的电压差上升时，在发生漏击穿之前，漏扩展区至少局部地完全耗尽。
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