[发明专利]半导体发光装置无效
| 申请号： | 94108213.X | 申请日： | 1994-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1032945C | 公开（公告）日： | 1996-10-02 |
| 发明（设计）人： | 佐伯亮 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置，它具有将电流供给层叠在砷化镓基板1上的半导体层并发光的活性层4，将电流供给有源层4的电极7a和7b，形成在将有源层4发射的光取至外部的取光面与有源层4之间并由ZnTe构成的电流扩散层6，该电流扩散层6对设于取光面侧的电极7a与有源层4间流动的电流进行扩散。上述结构通过抑制电流扩散层中的光吸收可实现高亮度化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，它具有：将电流供给层叠在半导体基板上的半导体层并发光的发光层；将电流供给发光层的电极；其特征在于，形成在将发光层发射的光取出至外部的取光面与发光层之间，对设于取光面侧的电极与发光层之间流动的电流进行扩散的电流扩散层；所述电流扩散层由ZnTe构成。
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