[发明专利]闪电存储器及微计算机无效
申请号: | 94108301.2 | 申请日: | 1994-07-13 |
公开(公告)号: | CN1100823A | 公开(公告)日: | 1995-03-29 |
发明(设计)人: | 黑田谦一;松原清 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G06F15/00 | 分类号: | G06F15/00;G11C16/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杨国旭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 装在单一半导体芯片上的微计算机包含一个中央处理单元一个非易失闪电存储器,该存储器允许由该中央处理单元通过电擦除和编程操作对待处理的信息进行重新编程。该微计算机装有常规电源电压端子和编程电源电压端子并带有供电电压电平探测器件和内部电压增压电路,以便根据所供给的电压的电平决定用于该闪电存储器的重新编程方式并在执行对数据的擦除和编程中在增压电压与外部高电压之间进行选择。 | ||
搜索关键词: | 闪电 存储器 计算机 | ||
【主权项】:
1、微计算机,包括:一个第一供电端子,用于接收电路参考电压;一个第二供电端子,用于接收具有关于电路参考电压的第一电势差的第一电压;一个第三供电端子,用于接收具有关于电路参考电压的第二电势差的第二电压,该第二电势差大于第一电势差;一个中央处理器,它接收该电路参考电压和第一电压并且响应这些电压而操作;一个闪电存储器,具有多个存储单元,其中存储单元的第一个包括在一个半导体衬底中的一个源区和一个漏区,在该源区和漏区之上的由置入的第一氧化膜形成的浮栅,以及在浮栅之上的由置入的第一氧化膜形成的控制栅;以及一个供电电路,它包括:一个第一电平探测电路,以判定供给第二供电端子的第一电压是否高于一特定电平;一个第二电平探测电路,以判定供给第三供电端子的第二电压是否高于一特定电平;一个增压电路,给第二供电端子供电的第一电压增压;以及一个电压选择电路,以选择或是给第三供电端子供电的第二电压,或是选择通过增压电路从第一电压增压的电压,并将已选择的电压提供给闪电存储器。
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