[发明专利]纳米非晶原位合成氮化硅晶须无效
| 申请号： | 94110355.2 | 申请日： | 1994-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1055324C | 公开（公告）日： | 2000-08-09 |
| 发明（设计）人： | 梁勇;李亚利;郑丰;肖克沈 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/62 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种制备Si3N4晶须的方法，其特征在于以Si/N/C粉为原料，在氮气氛下经热解形成Si3N4晶须;其特征反应式为$Si/N/C+表面O→Si3N4(晶粒)+SiO(g)+CO(g)$3SiO(g)+3CO(g)+2N2(g)→Si3N4(W)+3CO2(g)$粉体组成为SiNxCy0.1≤X≤1,1≤Y≤2,表面吸附氧范围5～10wt%,热解合成温度1500～1900℃,时间0.5～4h,气体压力0.5～2atm。本发明无需其它助剂及后处理，生产过程简单，成本低，适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 原位 合成 氮化 硅晶须 | ||
【主权项】：
1.一种制备Si3N4晶须的方法，其特征在于：以Si/N/C粉为原料，在氮气氛下经热解形成Si3N4晶须；粉体组成为SiN0.5C1.2，热解合成温度：1500～1900℃，时间0.5～4h，气体压力：0.5～2atm。
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