[发明专利]碳化硅晶须增强银基触点材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶须增强银基触点材料制备方法。所述材料为银基中含有３—１５％（重量百分比）的弥散ＳｉＣ晶须。所述制备方法的技术特征是Ａｇ包ＳｉＣ晶须复合物的制备工艺，其过程包括将一定长径比的β－ＳｉＣ晶须置入去离子水中用超声振动１０分钟以上，加温至４０℃以上并搅拌和超声振动，按配比滴入氨水络合至ｐＨ为１０左右的０．１—２Ｍ硝酸银溶液和相应水合肼溶液而获得Ａｇ包ＳｉＣ晶须复合物，水洗至中性后干燥。

主权项

1、一种碳化硅晶须增强银基触点材料制备方法，由制备Ag包覆SiC晶须复合物工艺和将所述复合物经压制成型、烧结、压力加工制成SiC晶须增强银基触点材料的粉末冶金工艺组成，其特征是，所述制备Ag包覆SiC晶须复合物的工艺过程是：(1)、选取直径为0.1-2μm、长度30-100μm、密度3.19-3.30g/cm3、松装密度0.05-0.15g/cm3的β-SiC晶须；(2)、按Ag-SiCw材料中SiC晶须的重量百分比含量为3-15％之配比将SiC晶须放入适量的去离子水或蒸馏水中；(3)、以频率为10-40KHz超声波振动10-60min；(4)、加温至40-80℃并搅拌和保持超声波振动，同时按配比滴入用氨水络合至PH为9-11的0.1-2M的销酸银溶液和适当过量的水合肼或甲醛，由此获得Ag包覆SiC晶须生合物。(5)、水洗所述生成物至中性后干燥，获得Ag包覆SiC晶须复合物。