[发明专利]金属－氧化物－半导体结构电容式湿敏器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94111388.4 | 申请日： | 1994-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1037041C | 公开（公告）日： | 1998-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈国平;张随新 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01G7/00 | 分类号： | H01G7/00;G01N19/10 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,姚建楠 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 金属—氧化物—半导体结构电容式湿敏器件及其制作方法，其器件由硅材料为基片、二氧化硅和五氧化二钽为湿敏介质膜，由铬和金构成双层透湿电极，可采用电子束蒸发、射频溅射或直流反应溅射工艺中任意一种物理气相沉积工艺，在二氧化硅膜上制作五氧化二钽膜，再在其上制作铬—金双层电极，金膜上有一个金电极引出环，制作的器件测温范围宽、响应速度快、稳定性好，能长期在高温高湿环境下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 结构 电容 式湿敏 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属—氧化物—半导体结构电容式湿敏器件，由基片、介质膜和金属电极组成，其特征在于，基片采用硅材料，介质膜为硅片表面上的二氧化硅薄膜和在二氧化硅上形成的五氧化二钽湿敏介质膜，金属电极为由铬和金构成的双层透湿电极，铬膜在湿敏介质膜上形成，金膜在铬膜上形成，金膜上有一个金电极引出环。
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