[发明专利]电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法无效

专利信息
申请号: 94111820.7 申请日: 1994-07-02
公开(公告)号: CN1163416C 公开(公告)日: 2004-08-25
发明(设计)人: 雷慧绪 申请(专利权)人: 雷慧绪
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;C01G53/04;H01C7/00;H01J29/86
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 黄幼陵
地址: 610061四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法,工艺步骤包括:硝酸钴、硝酸镍溶液制备;草酸铵配制;沉淀反应制取草酸钴、草酸镍;过滤、洗涤;焙烧草酸钴、草酸镍制取氧化钴、氧化镍粉末。该方法不仅工艺简单,而且能生产出费氏粒度小于1μm、晶粒度小于500∴的高纯度氧化钴、氧化镍粉末,用上述产品作掺杂材料,电子元器件的稳定性和可靠性好,电性能有较大提高。
搜索关键词: 电子工业 氧化钴 氧化 粉末 生产 方法
【主权项】:
1.一种电子工业用氧化钴、氧化镍粉末的生产方法,工艺步骤包括:(1)钴盐、镍盐溶液制备,(2)草酸铵配制,pH值控制在2.0~5.0,(3)沉淀反应制取草酸钴、草酸镍,整个反应在搅拌下进行,(4)过滤、洗涤,最后一次洗出液的pH值控制在5.0~7.0,(5)焙烧草酸钴、草酸镍制取氧化钴、氧化镍粉末,焙烧温度为300~500℃,其特征在于:(1)钴盐、镍盐溶液为硝酸钴、硝酸镍溶液,将高纯度的电解金属钴、金属镍用硝酸溶解而制得,溶液中的钴含量、镍含量控制在100~300克/升,游离酸控制在10克/升以下,(2)沉淀反应时,硝酸钴、硝酸镍溶液的温度为30~50℃,草酸铵的加入量由终点pH值确定,终点pH值为0.5~2.5,反应时间为15~30分钟。
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