[发明专利]一种提供高压器件高耐压的表面区结构在审
| 申请号： | 94111842.8 | 申请日： | 1994-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1115909A | 公开（公告）日： | 1996-01-31 |
| 发明（设计）人： | 陈星弼 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 盛明洁 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包含P-(或n-)的衬底及其在表面的n+(或p+)区构成的高压器件中，提供高耐压的表面区结构，其特点是在n+(或p+)区周围的表面为一种半导体薄层。此薄层的平均有效施主(或有效受主)密度随着离开n+(或p+)区边缘的距离增加而减小，形成n(或p)型耐压区。这种表面耐压区可使n+-p-(或p+-n-)结的击穿电压达到用同样衬底所做成的平行平面单边突变结的击穿电压的90％以上。利用本发明可制作耐压很高的纵向器件和耐压高、反应速度快、导通电压低和电流密度大的横向高压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提供 高压 器件 耐压 表面 结构 | ||
【主权项】：
1、一种提供高压器件高耐压的表面区结构，它包含有p-(或n-)的衬底(1)区和表面的n+(或p+)(2)区，其特征是在n+(或p+)(2)区的周围表面引入了一种半导体薄层，此薄层可分成2个以上的小区，薄层的平均有效施主(或受主)密度，在表面随着离开n+(或p+)(2)区的距离增加而减小，形成n型(或p型)耐压区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/94111842.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二面式经编织物的编织方法及其编织结构
- 下一篇：有芯甘薯制品
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
