[发明专利]氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法无效
| 申请号： | 94112086.4 | 申请日： | 1994-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1099016A | 公开（公告）日： | 1995-02-22 |
| 发明（设计）人： | 高家化;沈志坚;丁子上 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/64 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法，其特征是以α-Al2O3和C粉末为原料，α-Al2O3含量为65～99.5％(体积百分数)，平均粒径为0.1～2μm，C含量为35～0.5％(体积百分数)，粒径为5～100nm。制成的纳米级复相陶瓷是导电的，其常温电阻率为0.1～1000ΩM。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 纳米 级复相 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法，其特征在于：成分配比是含有65～99.5%(体积百分数)的α-Al2O3和35～0.5%(体积百分数)的C，其中α-Al2O3粉末的平均粒径为0.1～2μm，C粉末的粒径为5～100nm；经混匀后置于还原气氛或隋性气体保护的烧结炉内，加热至1500～1700℃，无压烧结2～6小时制成，或热压烧结0.5～2小时制成。
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