[发明专利]非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用

摘要

本发明涉及的是具有光电转换功能的非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜、制备及其应用，属于微电子学和光电子学领域。本发明提供的复合薄膜是由衬底i，掺杂PZT铁电陶瓷薄膜或BaSrTiO3陶瓷薄膜2、非晶硅薄膜3以及电极4、5、6组成.其独特之处在于利用非晶硅良好的光电导性，在光照后电阻下降4个数量级，给铁电薄膜提供光控偏置电场，从而实现光电转换。用本发明提供的复合薄膜可制成多种光电集成器件，如光电开关、光存储器、光电传感器，并可与硅集成电路组合成多功能光电集成电路。

主权项

1、一种具有光电转换功能的非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜，其特征在于(1)结构上复合薄膜是由衬底1、掺杂PZT或BaSrTiO3铁电陶瓷薄膜2、非晶硅薄膜3以及电极4、5、6组成；(2)掺杂PZT铁电薄膜2为Pb(ZrxTi1-x)O3，X可由0.4-0.6范围内变化，厚度为0.2-1μm，或BaSrTiO3；(3)非晶硅薄膜3为a-Si∶H，其厚度控制在其电阻与PZT或BaSrTiO3匹配范围内；(4)电极4、5、是金属电极，如Pt，Au，Al，Ni，Cr，Ni-Cr合金；(5)电极6由透明导电玻璃ITO；(6)衬底1是由Si/SiO2组成。