[发明专利]高性能低温烧结负温系数介电陶瓷无效
| 申请号： | 94112860.1 | 申请日： | 1994-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1107128A | 公开（公告）日： | 1995-08-23 |
| 发明（设计）人： | 姚熹;蔡修凯;王晓莉;黄 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26 |
| 代理公司： | 西安交通大学专利事务所 | 代理人： | 田文英 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明在电子陶瓷技术领域公开了一种高性能低温烧结负温系数介电陶瓷的配方Bi1.5-XM′XZn1-YM″YNb1.5O7-X-YFX+Y其中0≤X＜0.6；O≤Y＜0.5；M′=Ca，Mg，Ni，Zn；M″=K，Li，Na。这一系统陶瓷具有配料组成和相组成简单，烧结温度低，介电性能优异、稳定等优点，可用于制作通用陶瓷电容器，多层陶瓷电容器，直流和交流中、高压多层陶瓷电容器等产品。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 低温 烧结 系数 陶瓷 | ||
【主权项】：
高性能低温烧结负温系数介电陶瓷，配方组成式为：其特征在于：0≤x＜0.6；0≤y＜0.5；M′=Ca，Mg，Ni，Zn；M″=K，Li，Na。
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