[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 94113497.0 申请日: 1994-12-28
公开(公告)号: CN1041580C 公开(公告)日: 1999-01-06
发明(设计)人: 金子哲也;大泽隆 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明目的在于提供具有即使变更产品规格也能够以最佳电流驱动力驱动负载电路的升压电位产生电路的半导体存储器件。用升压电位产生电路13恒定地产生高于外加电压的外压电位φ,并作为电源供给负载电路15。用升压电位控制电路11监视升压电位φ3,用电流能力控制电路12把控制信号φ2A供给升压电位产生电路13,通过负载电路15的负载大时加大反之则减小升压电位电路13的电流供给能力,使得即使变更负载也能以最佳电流驱动能力驱动负载。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.半导体存储器件,其特征在于包括:升压电位产生部件,用于恒定地产生高于外加电压的升压电位;字线驱动部件;用于将上述升压电位产生部件的输出电位作为电源提供给并驱动字线;以及控制部件,用于接受决定产品规格的信号,并把根据该决定信号而生成的控制信号供给上述升压电位产生部件,在被上述字线驱动部件同时驱动的字线多时加大上述升压电位产生部件的电流供给能力,在被同时驱动的字线少时减少上述升压电位产生部件的电流供给能力。
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