[发明专利]记录媒体及其记录和擦除方法无效
| 申请号： | 94113700.7 | 申请日： | 1994-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1054227C | 公开（公告）日： | 2000-07-05 |
| 发明（设计）人： | 戎霭伦;司徒活;吕燕伍;毛自力;袁凯华 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 李晓舒 |
| 地址： | 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种记录媒体包括增透膜，记录介质膜，增反膜，光反馈和热沉膜，这些膜层构成一准Ｆ－Ｐ干涉仪，记录介质膜由具有光双稳态的材料构成的，各膜层设置成使得反射光和透射光之一的输出－输入特性是输出光滞后于输入光的光滞回线；记录介质由具有高阶非线性光滞双稳态变化特性的无机多元半导体材料制成，该材料是以式Ｘ＝AiBjCk表达的多元准共晶系化合物，这里Ａ选自Ⅲ－Ⅴ族化合物，Ｂ选自Ⅱ－Ⅳ族化合物，Ｃ选自Ⅰ－Ⅶ族或Ⅱ－Ⅶ族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 媒体 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种记录媒体，其包括一增透膜，一记录介质膜，一增反膜，一光反馈和热沉膜，其特征在于，这些膜层构成一准F-P干涉仪，所述记录介质膜是由具有光双稳态的材料构成的，各个膜层之间满足这样的匹配关系，使得反射光和透射光之一的输出-输入特性是输出光滞后于输入光的光滞回线；所述记录介质由具有高阶非线性光滞双稳态变化特性的无机多元半导体材料制成，该材料是以式X＝AiBjCk表达的多元准共晶系化合物，这里A选自III-V族化合物，B选自II-IV族化合物，C选自I-VII族或II-VII族化合物，i＝0-3，j＝0-3，k＝0-3，i，j，k不能有两个同时为零。
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