[发明专利]边缘偏置的磁阻传感器无效
| 申请号： | 94113734.1 | 申请日： | 1994-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1118917A | 公开（公告）日： | 1996-03-20 |
| 发明（设计）人： | 康霆元;王伯康 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻(MR)传感器包括一个形成MR检测元件的铁磁材料层，其中，MR传感器被偏置只需利用MR磁条的单轴各向异性和检测元件作用区的形状各向异性。MR元件的作用域通常有一个正方形以提供所需的形状各向异性。在MR传感器的制作期间，利用其形状各向异性定义检测元件作用区四边的磁化强度，并把易磁化轴倾斜到某个适当的角度，就能使MR传感器被偏置约45°。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 偏置 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，其特征在于包括一个具有一般定义为正方形的平面面积的铁磁材料层，所述铁磁层的磁化强度在其边缘上具有一个预定义的面向度，各向异性的易磁化轴被以相对于所述铁磁层的纵向轴约45°的角度面向。
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