[发明专利]副产煤气的高品位碳化硅生产方法无效

专利信息
申请号: 94114319.8 申请日: 1994-12-30
公开(公告)号: CN1041911C 公开(公告)日: 1999-02-03
发明(设计)人: 徐以达;王师祥;邱正白 申请(专利权)人: 徐以达
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 江苏省专利事务所 代理人: 王荷英
地址: 210024 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及副产煤气的高品位碳化硅的生产方法,以富含硅的农作物、野生植物的籽壳、茎杆为原料,干馏后得含硅炭粉,将大部分含硅炭粉送入气化炉。其中的碳与水蒸汽、空气反应转化成煤气,而硅被浓缩于炉底灰份中,将该灰份与干馏所得的另一部分含硅炭粉按分子比C∶S=1.1—1.3∶1均匀混配成反应物料,加于电弧炉,通电14—20小时,在1700—2100℃高温下隔绝空气反应,得碳化硅,进一步处理得99.7%以上精品碳化硅。由于大量过剩碳在碳化硅生成前已除去,碳和硅可合理配比入炉反应,制得的碳化硅纯度及品位提高,且煤气可提供发电,达到节能目的。
搜索关键词: 煤气 品位 碳化硅 生产 方法
【主权项】:
1、副产煤气的高品位碳化硅生产方法,其特征是以富含硅的农作物、野生植物的籽壳、茎杆为原料,将原料送入干馏炉,干馏除去挥发性组份,获含硅炭粉,将含硅炭粉的大部分用粘接剂调制成块状炭。送入气化炉,同时向气化炉通入水蒸汽和空气,在800-1200℃下反应生成煤气,煤气经常规的除尘、热回收、冷却、除焦油处理后入气柜储存;收集上述气化炉炉底排灰、除尘器排灰及冷却沉降的地沟灰,将该灰份与前述干馏所得的另一部分含硅炭粉按碳、硅组分的分子比为C∶Si=1.1-1.3∶1均匀混配成反应物料。加于电弧炉中心电板的周围,通电14-20小时。在1700-2100℃高温下隔绝空气反应,生成粗品碳化硅,出炉后进行常规的破碎、球磨、酸洗、中和、水洗、干燥、筛分处理,得精品碳化硅产品。
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