[发明专利]氢化工艺

摘要

本发明涉及一种新的制造通式Ⅰ的光活性化合物的催化工艺其中Ｒ1和Ｒ2表示烷基,它可在α或β以外的位置供选择地被一个Ｏ原子所间断，或者供选择地被苄基所取代；Ｒ３代表氢，低级烷基，它可供选择地被苄基，－ＣＯ－Ｒ４，－ＣＯＯＲ４或－ＣＯＮＲ４2所取代；Ｒ４代表低级烷基或芳基；它是在一种光活性络合物，最好是阻断异构的二膦烷配体与第Ⅷ族金属形成的络合物存在的条件下，不对称地氢化通式Ⅱ的化合物而实现的。

主权项

1.一种对映选择性地制造具有下式的光活性化合物的工艺：其中R1和R2代表烷基它可在α或β以外的位置供选择地被一个O原子所间断，或者供选择地被苄基所取代，R3代表H，低级烷基，它可供选择地被苄基，-CO-R4，-COOR4或-CONR24所取代，R4代表低级烷基或芳基；该工艺包括在一种光活性的，阻转异构的二膦烷与第VIII族金属所形成的络合物存在的条件下，不对称地氢化具有下列通式的化合物：其中R1，R2和R3的意义与前相同，其中所述阻转异构的二膦烷与第VIII族金属所形成的络合物是一种具有下面式III-a至III-d中任一式的光活性钌-二膦烷络合物：?????[RuL]2+(X)2???????III-a?????[RuLX2]2+(X)2????III-b?????[RuLX1X2]+X3?????III-c?????RuL(X4)2??????????III-d其中X代表BF4-，ClO4-，B(苯基)4-，SbF6-，PF6-或Z1-SO3-，X1代表卤化物，X2代表苯，六甲基苯或对位伞花烃，X3代表卤化物，ClO4-，B(苯基)4-，SbF6-，PF6-，Z1-SO3-或BF4-，X4代表Z2-COO-或Z3-SO3-负离子，Z1代表卤代低级烷基或卤代苯基，Z2代表低级烷基，苯基，卤代低级烷基或卤代苯基，Z3代表低级烷基或苯基，L代表具有下式的(S)或(R)构型光活性的阻转异构的二膦烷配体：或具有下式的二膦烷配体：其中R5和R6各自独立地代表低级烷基，低级烷氧基，二-(低级烷基)氨基，羟基，保护的羟基，羟甲基或保护的羟甲基，或者R5和R6在一起代表一个下列两价基因：-(CH2)q-，-CH2-O-CH2-，或R7代表氢，低级烷基或低级烷氧基，R8和R9各自独立地代表环烷基，未取代或取代的苯基或一个五元杂芳香环，前提条件是R8和R9中至少一个代表取代的苯环或五元杂芳香环，R10代表卤素，羟基，低级烷基，氨基，乙酰氨基，硝基或磺基，R11代表低级烷基，苯基或苄基，R12代表低级烷基，或者两个R12在一起代表一个二或三亚甲基，p代表零或数字1，2或3，q代表数字3，4或5。