[发明专利]高效率、宽度电可调的场效应晶体管及其实现方法无效
| 申请号： | 94115709.1 | 申请日： | 1994-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1108815A | 公开（公告）日： | 1995-09-20 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·E·韦策尔;戴维·J·霍尔钦 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/784 | 分类号： | H01L29/784 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这是一种用来减小功耗的可变宽度FET，可变宽度FET包括FET，开关FET和另一个开关FET。开关FET具有与FET的栅极、漏极、源极并联的栅极、漏极和源极。此外，开关FET每个都有一用来开启相应器件的控制栅极。开启的开关FET增加可变宽度FET的宽度，从而增加其功率处理能力。截止开关FET减小可变宽度FET的宽度，从而减少所需的直流偏置电流以降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 宽度 可调 场效应 晶体管 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、单片功率FET(场效应晶体管)(11)的特征为：FET(18)包括栅极、漏极和源极；至少一个开关FET(19，21)，所述至少一个开关FET包括与所述FET的栅极耦合的第一栅极、第二栅极，与所述FET的漏极耦合的漏极和与所述FET的源极耦合的源极。
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