[发明专利]读出放大器无效
| 申请号： | 94116127.7 | 申请日： | 1994-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1039065C | 公开（公告）日： | 1998-07-08 |
| 发明（设计）人： | 冈村淳一 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种读出放大器，其特征在于①具有包括源极接于位线，漏极接于数据线，栅极接于列选择信号线的ＮＭＯＳＱ３－１的列门电路５１和包含漏极连接于ＮＭＯＳＱ３－１的源极与位线的接点，源极接于读出信号线，栅极接于放大流入位线的信号所需的基准电位信号流经的配线的ＮＭＯＳＱ１－１的读出回路。②ＮＭＯＳＱ３－１与ＮＭＯＳＱ１－１分别设置于设在硅基板中的一个元件区域中。以这样可以削减设定元件区域所需的元件分离区域，达到缩小芯片尺寸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种读出放大器，具有：包括电流通路的一端连接于位线(BL1～4，BBL1～4)，电流通路的另一端接于数据线(DQ，DQ1，DQ2，BDQ，BDQ1，BDQ2)，栅极接于列选择信号线(CSL1～4)的第一晶体管(Q3-1～Q3-4，Q4-1～Q4-4)的列选择装置，其特征在于，进一步具有：包括电流通路的一端连接于前述第1晶体的电流通路的一端与前述位线的相互连接点上，电流通路的另一端连接于读出信号线(SAN，BSAN)，栅极连接于为读出放大流入前述位线的信号所需的基准电位信号流经的配线上的第2晶体管(Q1-1～Q1-4，Q2-1，Q2-4，Q5-1～Q5-4，Q6-1，Q6-4)的读出装置，而且前述第1晶体管与前述第2晶体管分别设置于半导体基体21上设定的一个元件区域(23、24)上。
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