[发明专利]宽频带低插损定向耦合器在审
| 申请号： | 94116338.5 | 申请日： | 1994-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1119793A | 公开（公告）日： | 1996-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张萍;张九庸 | 申请（专利权）人： | 张萍;张九庸 |
| 主分类号： | H01P5/04 | 分类号： | H01P5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 广东省广州市沙河顶*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明宽频带低插损定向耦合器是目前使用磁性材料制造的集中参数定向耦合器的一种改进。通过选用不同形状的磁性材料及特殊的绕制方法，可以突破制做超宽频带变量器之限制。从而可以获得5MHz～1000MHz超宽频带宽度低插损，高隔离度的定向耦合器。 | ||
| 搜索关键词： | 宽频 带低插损 定向耦合器 | ||
【主权项】：
本发明宽带低插损定向耦合器是由利用磁性元件制作相互交连的两个变量器构成的。其特征在于：每个变量器各使用一个双孔磁芯，变量器的主、副线圈均迂回穿过该双孔磁芯的两个孔。主、副线圈的首尾均在双孔磁芯的同一侧引出，两个这种变量器相互交连而成一个完整的宽频带低插入损耗定向耦合器。
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