[发明专利]电容形成方法无效
| 申请号： | 94116425.X | 申请日： | 1994-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1108791A | 公开（公告）日： | 1995-09-20 |
| 发明（设计）人： | 寿国梁;高取直;山本诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社鹰山 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是要提供一种具有高分辨率的容量的电容。本发明灵活地利用了MOSFET的Id—V8特性。它产生了与一个初始电压对应的稳定输出电压，该初始电压被用作一个保持数据。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电容形成方法，包括以下步骤：确定具有预定形状和尺寸的单位电容；通过分割所述单位电容确定一或多个部分电容；通过设置所述单位电容和/或部分电容而形成具有预定容量的电容。
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