[发明专利]阴极射线管的浸渍型阴极无效
| 申请号： | 94117865.X | 申请日： | 1994-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1050438C | 公开（公告）日： | 2000-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金永九 | 申请（专利权）人： | 株式会社金星社 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J1/28;H01J1/14 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及阴极射线管的浸渍型阴极，该阴极可在低温８５０～９５０℃中使用，甚至在高的电流密度中有长的寿命和可靠性。该阴极射线管的浸渍型阴极包括其内部浸渍了电子发射材料的多孔阴极块，该多孔阴极块表面上有Ｗ－Ｓｃ（或Ｗ－SC2O3）层，并且在Ｗ－Ｓｃ（或Ｗ－SC2O3)层上有由稀土金属Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｕ和Ｒｅ中的至少一种形成的合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极射线管 浸渍 阴极 | ||
【主权项】：
1、一种阴极射线管的浸渍型阴极，在浸渍有电子发射材料的多孔阴极块的表面有一W-Sc或W-Sc2O3层，并在所述W-Sc或W-Sc2O3层的表面上形成由稀土金属Ir、Os、Ru、Re等的至少一种构成的合金层，其特征在于，所述W-Sc或W-Sc2O3层中的W∶Sc或W∶Sc2O3混和比为50～80∶50～20，W-Sc或W-Sc2O3的厚度为10～20μm，稀土金属层的厚度为5～20μm。
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