[发明专利]稳流半导体集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 94117896.X | 申请日： | 1994-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1105783A | 公开（公告）日： | 1995-07-26 |
| 发明（设计）人： | 齐藤丰;小山内润;小岛芳和;石井和敏 | 申请（专利权）人： | 精工电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L27/105;H01L21/66;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒,萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低成本CRD(稳流二极管)，产生的电流值波动较小，且有较小的芯片尺寸。用于半导体集成电路器件的CRD由耗尽型N沟道MOS晶体管构成，该晶体管中栅、源与基片电气连接。栅绝缘膜小于500埃，栅的沟道长度(L长度)大小8μm。该CRD包括具有与IP对应的第一W宽度的沟道的漏区，对期望的IP是不足够的，还具有第二W宽度的第二漏区，在该漏区中存在多种沟道的W宽度，对这些沟道宽度按需要进行选择使其与第一漏区并联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种稳流半导体集成电路器件，其中稳流通道的电路元件或者用于控制稳流通道的电路元件的电流值的电路元件具有过多部分，所述过多部分被选择地连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子工业株式会社，未经精工电子工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/94117896.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：静电喷粉设备
- 下一篇：稳定接触透镜用处理剂的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
