[发明专利]奥氏体金属的渗碳方法无效
| 申请号： | 94117910.9 | 申请日： | 1994-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1121118A | 公开（公告）日： | 1996-04-24 |
| 发明（设计）人： | 田原正昭;仙北谷春男;北野宪三;林田忠司;湊辉男 | 申请（专利权）人： | 大同北产株式会社 |
| 主分类号： | C23C8/22 | 分类号： | C23C8/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,齐曾度 |
| 地址： | 日本北海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种奥氏体金属的渗碳方法，它包括氟化处理奥氏体金属和在不高于680℃的低温下连续渗碳。渗碳温度可以由于这种氟化处理而降低。结果是可以防止奥化体金属中的铬组分的碳化物沉淀。也就是说，大量的铬组分仍保留在奥化体金属中。因此，奥氏体金属表面可以硬化，并还能够保持优良的耐腐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 奥氏体 金属 渗碳 方法 | ||
【主权项】：
1.一种奥氏体金属的渗碳方法，它包括步骤：在渗碳之前，将奥氏体金属保持在加热的含氟化物的气氛中，并且使奥氏体金属在不高于680℃的温度进行渗碳。
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